铜孪晶界缺陷处富集有铼的纳米催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117026282A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310805946.4

    申请日:2023-07-03

    Inventor: 孙正宗 叶桐

    Abstract: 本发明属于电催化技术领域,具体为一种铜孪晶界缺陷处富集有铼的纳米催化剂及其制备方法和应用。本发明制备步骤包括:在酸性的CuSO4和NaReO4的混合液中通过脉冲电沉积的方法制备Re掺杂的孪晶Cu;利用晶界偏析的原理将上述制备的Re掺杂的孪晶Cu进行加热处理,该过程使Re原子向Cu孪晶界上偏析,使Re富集至Cu孪晶界缺陷处。该方法工艺简单,反应能耗低,所制备的纳米催化剂具有在室温下电催化氮气还原为氨的高反应活性与稳定性,氨产量达3.96μg cm‑2 h‑1,法拉第效率达24.5%,显著高于孪晶纯Cu(1.22μg cm‑2 h‑1和15.19%)。

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