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公开(公告)号：CN112928212B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110106566.2
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明属于功能器件技术领域，具体为基于MOFs和有机半导体异质结的气体传感器件及其制备方法。本发明方法包括：采用带有SiO2层的硅片剪切成小面积于4 cm2的正方形或者圆形，而后使用匀胶机，将导电MOFs和有机半导体材料的混合溶液均匀地滴在硅片上，高转速下将多余的溶液甩飞；将以上器件退火处理，即得到导电MOFs和有机半导体聚合物的异质结的器件；将其应用于有害气体氛围中，定性检测有害气体。本发明用制备的基于导电MOFs材料和有机半导体材料的异质结结构搭建的器件，运用于有害气体检测，检测灵敏度高，拓宽了其应用领域。
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公开(公告)号：CN112679745A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011417164.6
申请日：2020-12-07
IPC: C08G83/00 , C09D187/00 , B05D1/00 , B05D7/24
Abstract: 本发明公开了一种直接在硅片上原位生长制备高透明超薄的Ni‑BHT MOFs薄膜的方法。该方法具体步骤如下：将硅片放在匀胶机后，滴加配制好的硝酸镍水溶液使其铺满整片硅片的表面，然后再滴加配制好的六巯基苯氯代苯溶液在硝酸镍水溶液的上方并确保完全覆盖。静止两分钟后用吸水纸沿着硅片的一侧吸去下层的硝酸镍水溶液，然后旋转硅片，将硅片表面剩余的溶液甩飞。最后在整片硅片的表面原位形成了wifer‑size大小高透明超薄的Ni‑BHT薄膜MOFs。本发明操作简单、耗时短而且得到的薄膜面积大、表面平整且厚度很薄，同时具有很高的透光度。
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公开(公告)号：CN112661991A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011412335.6
申请日：2020-12-04
Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为一种由四巯基苯制备的导电MOFs薄膜材料及其制备方法。本发明方法包括：采用硅片作为基底，除去表面残留的杂质；配置四巯基苯的氯代苯溶液和金属盐的水溶液；使用匀胶机，将金属盐溶液均匀地滴在硅片上，低转速下将多余的盐溶液甩飞，再将四巯基苯溶液滴加在金属盐溶液上方，使其完全覆盖住金属盐溶液；反应结束后，在高转速下将剩余溶液甩飞，即得到导电MOFs薄膜材料，其电导率为σ=10~100 S/cm。本发明用制备了一种基于四巯基苯的新型导电MOFs薄膜，薄膜表面连续且平整，拓宽了其应用领域。
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公开(公告)号：CN111004402A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911068101.1
申请日：2019-11-05
Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为一种界面限域自组装制备大面积Ni-BHT导电薄膜MOFs的方法。本发明中，金属离子化合物采用Ni(NO3)2·6H2O，有机物配体采用六巯基苯（BHT），表面活性剂选用聚乙烯吡咯烷酮或四丁基溴化铵；采用界面限域自组装技术，得到大面积、超薄Ni-BHT导电薄膜MOFs。本发明方法操作简单，条件温和，制备的MOFs薄膜性能优良，导电率大幅提高。
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公开(公告)号：CN112928212A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110106566.2
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明属于功能器件技术领域，具体为基于MOFs和有机半导体异质结的气体传感器件及其制备方法。本发明方法包括：采用带有SiO2层的硅片剪切成小面积于4 cm2的正方形或者圆形，而后使用匀胶机，将导电MOFs和有机半导体材料的混合溶液均匀地滴在硅片上，高转速下将多余的溶液甩飞；将以上器件退火处理，即得到导电MOFs和有机半导体聚合物的异质结的器件；将其应用于有害气体氛围中，定性检测有害气体。本发明用制备的基于导电MOFs材料和有机半导体材料的异质结结构搭建的器件，运用于有害气体检测，检测灵敏度高，拓宽了其应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111004403A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911068103.0
申请日：2019-11-05
Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为一种在氧化硅表面原位生长大面积Cu-BHT导电薄膜MOFs的方法。本发明方法，金属离子化合物采用Cu(NO3)2﹒3H2O，有机物配体采用六巯基苯（BHT）；具体步骤为：将硅片放在匀胶机上，把配制的硝酸铜水溶液滴加在SiO2表面，再将配制的六巯基苯氯代苯溶液滴加在硝酸铜水溶液的表面，然后旋转硅片，将溶液甩飞，在二氧化硅的表面原位形成大面积的Cu-BHT导电薄膜MOFs。本发明方法操作简单，耗时超短，得到的薄膜面积大且平整，导电性能优良。解决了传统制备方法中膜转移到二氧化硅层表面出现的褶皱、污染等问题。
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公开(公告)号：CN117881258A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311594447.1
申请日：2023-11-28
Abstract: 本发明属于场效应晶体管器件技术领域，具体为一种本征可拉伸复合电极的及其制备方法和应用。本发明包括通过将银纳米线/碳纳米管复合材料覆盖在聚(3，4‑乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）薄膜上形成复合导电薄膜，以增强薄膜电极的电学性能；用弹性衬底将该复合薄膜电极转移至器件的电极区域形成电极；通过调整复合导电薄膜的成分或掺杂比例调控电导率，该薄膜电极在拉伸状态下保持较高的机械顺应性和稳定的电化学性能。本发明导电薄膜低成本，可大面积制备，具有优异机械性能和光学性能，可用于制备高性能有机场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN111004402B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911068101.1
申请日：2019-11-05
Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为一种界面限域自组装制备大面积Ni‑BHT导电薄膜MOFs的方法。本发明中，金属离子化合物采用Ni(NO3)2·6H2O，有机物配体采用六巯基苯（BHT），表面活性剂选用聚乙烯吡咯烷酮或四丁基溴化铵；采用界面限域自组装技术，得到大面积、超薄Ni‑BHT导电薄膜MOFs。本发明方法操作简单，条件温和，制备的MOFs薄膜性能优良，导电率大幅提高。
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公开(公告)号：CN112679764A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011420476.2
申请日：2020-12-08
Abstract: 本发明公开了一种Au/Ni‑BHT异质结导电MOFs薄膜材料及其可控制备方法。其制备方法如下：先将切好的硅片清洗干净后蒸镀金电极；接着配制六巯基苯/氯代苯溶液、不同浓度比的金和镍的金属盐的混合水溶液；随后将带金电极的硅片放到匀胶机上，先滴加金属盐的混合水溶液，后滴加六巯基苯/氯代苯溶液，并确保将下层的金属盐的混合水溶液完全覆盖，静置1~3分钟，再启动匀胶机旋转硅片，将硅片表面剩余的溶液甩飞；最后将硅片放到真空烘箱中干燥，即得到表面平整的Au/Ni异质结导电MOFs薄膜。本发明得到的薄膜表面连续且平整，导电性好，拓宽了薄膜应用领域。
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公开(公告)号：CN110983444A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911068102.6
申请日：2019-11-05
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体为一种制备Ag-BHT单晶纳米线的方法。本发明方法包括，在反应体系的下层加入六巯基苯氯代苯溶液，在反应体系的上层加入硝酸银乙醇溶液；利用银离子在乙醇中的溶解性好于在氯代苯中的溶解性的特点，在上层溶液中的银离子缓慢向下扩散的过程中，银离子与六巯基苯反应，进而得到Ag-BHT单晶纳米线。本发明方法操作简单，制备条件温和，制备的Ag-BHT单晶纳米线性能优良；可拓宽MOFs单晶薄膜在场效应晶体管领域的应用。
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