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公开(公告)号：CN119104165A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411218315.3
申请日：2024-09-02
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及一种深低温CMOS温度传感器，基于深低温下厚氧PMOS器件阈值电压与温度的准线性关系，通过提取厚氧PMOS器件在三种不同特定偏置下的电流并对其进行算术运算获得关于厚氧PMOS器件阈值电压的线性函数从而实现深低温下的温度感知。与现有技术相比，本发明具有输出为数字量、体积小、与CMOS工艺兼容等优点。
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