公开(公告)号：CN102253681A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010180562.0

申请日：2010-05-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵喆 ,  周锋 ,  黄圣专

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属集成电路技术领域，具体涉及一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。它由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器，并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同，其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路，利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，本发明结构简单，温度系数低，面积小，成本低，适用于各种模拟电路、模数混合电路中。

公开(公告)号：CN101853040A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010217348.8

申请日：2010-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄圣专 ,  周锋 ,  赵喆

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明属集成电路技术领域，具体为一种带前馈跨导的高电源抑制比低压差线性稳压器。它由误差放大器、缓冲器、PMOS传输管、前馈跨导、两个反馈电阻和滤波电容组成。误差放大器由尾电流源、PMOS输入差分对以及三组电流镜构成电流镜放大器。电源电压波动对输出的影响主要通过PMOS传输管和PMOS传输管的寄生电阻这两条通路。前馈跨导将电源电压的扰动转化为电流的扰动，再经过误差放大器的寄生电阻转化为传输管栅极的一个同相电压扰动。通过控制前馈跨导的增益，可消除电源电压扰动对输出的影响，实现高电源抑制比。本发明能在更宽的负载电流范围内优化电源抑制比且不降低低压差线性稳压器的效率。