公开(公告)号：CN101833351A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200910047605.5

申请日：2009-03-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马海峰 ,  周锋

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种新型的低压、极低功耗电压基准源，由正温度系数电压产生电路M1和M2、负温度系数电压产生电路M3、偏置产生电路、开关MOS管、电容以及两相非交叠的时钟(11)构成。本发明采用工作在亚阈值的MOS管串联连接实现正温度系数电压，采用MOS阈值电压的温度特性实现负温度系数电压，通过开关电容电路将两个不同温度系数的电压带权重相加，实现与温度无关的基准电压。本发明所提供的低压极低功耗电压基准源，电路结构适合在低压、极低功耗条件下工作，占用芯片面积小，成本低。

公开(公告)号：CN101388650A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810201177.2

申请日：2008-10-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马海峰 ,  周锋

IPC: H03F3/42

Abstract: 本发明涉及一种用于三级运算放大器的嵌套式密勒有源电容频率补偿电路，它由3个CMOS放大级电路、2个补偿电容、1个正相的电流缓冲器、1个反相的电流缓冲器通过嵌套连接而构成；它所构建出的三级放大器在频率响应特性中非主极点可扩展到很高的频率，同时，还引入了一个左半平面的零点，这增加了相位裕度并节省了功耗。相比现有的三级放大器频率补偿技术，本发明中的频率补偿技术在实现高增益的同时具有功耗低、补偿电容小、驱动大负载能力强等优点。

公开(公告)号：CN101833346A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200910047606.X

申请日：2009-03-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马海峰 ,  周锋

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种新型的精度和电源抑制比增强的低压差线性稳压器(LDO)，由误差放大器、电压缓冲器、PMOS调整管、电阻反馈网络以及输出电容构成。本发明所提供的低压差线性稳压器，在不改变输出点阻抗，不影响LDO的环路稳定性的情况下，在误差放大器内部引入一个具有一定增益的中间放大级，通过内部节点阻抗的提高，增加了直流增益，因此，在实现稳定的频率补偿的同时，提高了LDO的精度以及电源抑制比。

公开(公告)号：CN101833351B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910047605.5

申请日：2009-03-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马海峰 ,  周锋

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种新型的低压、极低功耗电压基准源，由正温度系数电压产生电路M1和M2、负温度系数电压产生电路M3、偏置产生电路、开关MOS管、电容以及两相非交叠的时钟(11)构成。本发明采用工作在亚阈值的MOS管串联连接实现正温度系数电压，采用MOS阈值电压的温度特性实现负温度系数电压，通过开关电容电路将两个不同温度系数的电压带权重相加，实现与温度无关的基准电压。本发明所提供的低压极低功耗电压基准源，电路结构适合在低压、极低功耗条件下工作，占用芯片面积小，成本低。

公开(公告)号：CN101369161A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810201178.7

申请日：2008-10-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马海峰 ,  周锋

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提供一种新型的无需片外补偿电容的低压差线性稳压器。它由两级误差比较器、一个功率PMOS管、两个用于频率补偿的电容和一级跨导反馈电路构成。所采用的频率补偿网络以及小尺寸功率管的设置使得本发明提出的低压差线性稳压器能够实现在全负载电流范围内稳定；同时，因为采用了两级误差放大器，该线性稳压器还具有极高的精度；因此，该线性稳压器非常适合在全芯片上集成(SoC)环境下使用，具有极好的应用前景。