公开(公告)号：CN109088601A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810750059.0

申请日：2018-07-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈赟 ,  顾稀罕 ,  索康洲

IPC: H03D7/16

Abstract: 本发明属于声学隐身和声学通信技术领域，具体为基于超材料的单向声学混频器。本发明由两个背靠背的亥姆霍兹共振腔组成，两个背靠背的亥姆霍兹共振腔以一个压电陶瓷薄膜作为公共面；该压电陶瓷薄膜上有三个电极：地电极、主电极和测量电极；两个亥姆霍兹共振腔具有相似的结构，为具有一个开口的圆柱形腔体，除开口的直径不同之外，其他结构参数都是相同。本发明通过压电陶瓷薄膜、ADC和FPGA将控制算法和相关设备整合在一起。单向声学倍频器和半频器实际测试结果表明，本发明能成功将1.35kHz和2.7kHz的声波相互转换，同时保持较高的单向抑制比(>20dB)，各项性能满足要求。

公开(公告)号：CN109088601B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201810750059.0

申请日：2018-07-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈赟 ,  顾稀罕 ,  索康洲

IPC: H03D7/16

Abstract: 本发明属于声学隐身和声学通信技术领域，具体为基于超材料的单向声学混频器。本发明由两个背靠背的亥姆霍兹共振腔组成，两个背靠背的亥姆霍兹共振腔以一个压电陶瓷薄膜作为公共面；该压电陶瓷薄膜上有三个电极：地电极、主电极和测量电极；两个亥姆霍兹共振腔具有相似的结构，为具有一个开口的圆柱形腔体，除开口的直径不同之外，其他结构参数都是相同。本发明通过压电陶瓷薄膜、ADC和FPGA将控制算法和相关设备整合在一起。单向声学倍频器和半频器实际测试结果表明，本发明能成功将1.35kHz和2.7kHz的声波相互转换，同时保持较高的单向抑制比(>20dB)，各项性能满足要求。