公开(公告)号：CN102815704A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210345398.3

申请日：2012-09-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 杨振国 ,  杨超 ,  顾云松 ,  俞宏坤 ,  孙江燕

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明属于太阳能级多晶硅制备领域，具体为一种回收硅切削废料制备太阳能级多晶硅的方法。其具体步骤为：首先将回收的硅废料粉碎至适合熔融阶段的颗粒大小，采用水，盐酸+过氧化氢混合水溶液，氢氟酸水溶液，氨水，乙醇水溶液等清洗剂对硅粉进行清洗处理，烘干后得到的硅粉置于石英坩埚中，在真空电炉或氢气保护电炉中1600℃煅烧3~5小时即可得到太阳能级多晶硅。本发明解决了硅切削废物处理问题，制备步骤简单，条件温和。本发明制备的多晶硅纯度满足太阳能级硅的要求。

公开(公告)号：CN102815700A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210345964.0

申请日：2012-09-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 杨振国 ,  杨超 ,  顾云松 ,  俞宏坤 ,  孙江燕

IPC: C01B31/36 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于纳米碳化硅制备领域，具体为一种回收硅切削废料制备纳米碳化硅的方法。其具体步骤为：首先将回收的硅废料粉碎至适合熔融阶段的颗粒大小，采用水，盐酸+过氧化氢混合水溶液，氢氟酸水溶液，氨水，乙醇水溶液等清洗剂对硅粉进行清洗处理，烘干后得到的硅粉置于石墨坩埚中，在真空电炉或氢气保护电炉中1600℃煅烧3~5小时即可得到纳米碳化硅。本发明解决了硅切削废物处理问题，制备步骤简单，条件温和。本发明制备的纳米碳化硅直径约20-50nm，长度约4~5μm，长径比远高于20。