-
公开(公告)号：CN118919501A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410972937.9
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明属于微电子封装领域，具体涉及一种多尺度硅通孔背部散热结构及其制备方法和应用，设置于芯片的背面；所述的硅通孔包括依次连通且尺寸顺序减小的导热轨道、至少一级的微米级硅通孔和至少一级的纳米级硅通孔，所述的纳米级硅通孔的末端贴靠于芯片的发热源设置；所述的硅通孔的内部填充有高热导率材料。与现有技术相比，本发明解决现有技术中散热效率有限、普适性较低且工艺要求较高的问题，本方案实现了从芯片内部热源进行热量传递，提升散热效率，有效降低芯片温度。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
