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发明公开
一种交换耦合介质L10-FePt/[Co/Ni]N及其制备方法无效

公开(公告)号：CN102280113A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110121247.5

申请日：2011-05-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马斌 , 廖嘉霖 , 郭红华 , 张宗芝 , 金庆原

IPC: G11B5/84 , G11B5/66 , G11B5/851

Abstract: 本发明属信息存储技术领域，具体为交换耦合复合介质L10-FePt/[Co/Ni]N及其制备方法。所述交换耦合复合介质是在（001）取向的L10FePt薄膜的表面，沉积Co/Ni多层膜以及一非磁性Pt薄层而组成，记为L10-FePt/[Co/Ni]N，N为复合膜Co/Ni的周期数。本发明通过在高矫顽力的（001）取向的L10FePt薄膜表面沉积一层具有垂直磁易轴的Co/Ni多层膜，能够将FePt薄膜的磁化翻转场下降到适合现有磁头记录的大小，从而满足超高密度记录介质的应用。

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