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公开(公告)号：CN114142815A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111322721.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H03F1/32
Abstract: 本发明属于抗辐照技术领域，具体为一种基于功率检测的抗辐照电路。本发明抗辐照电路由放大器、功率检测模块、控制电路、偏置电路依次首尾相接构成反馈环路；控制电路还与存储器连接；在辐照作用下根据功率检测模块检测放大器的输出信号，通过控制电路存储在存储器中的查找表读取当前实际功率下对应的最佳工作状态的偏置信号，并根据最佳偏置控制信号控制偏置电路，通过偏置电路调整放大器的偏置电压或电流，将电路性能调回最佳状态，通过一个反馈环路，减小辐照总剂量效用的影响，实现总剂量效应的电路级辐照加固。本发明能够实现集成化、便携化，可实时地对放大器工作状态进行调整，增强电路抗辐照特性。
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公开(公告)号：CN114141857A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111322720.6
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明属于抗辐照技术领域，具体为一种硅边墙SOI抗辐照MOS器件结构。本发明结构，包括MOS器件的栅端、源端、漏端、体区、衬底和硅边墙；通过改变原本SOI器件边墙绝缘体隔离层为硅边墙，采用与体区同种掺杂的硅侧边墙，可有效降低辐照总剂量效应下侧边墙寄生晶体管产生的泄露电流；同时将体区有效引出与源端相连，可有效解决常规SOI的MOS器件浮体效应产生的衬底寄生晶体管在辐照总剂量效应下产生的背沟道泄露电流问题。本发明在兼容主流SOI工艺情况下，解决了边墙寄生晶体管和衬底寄生晶体管引起的泄露电流问题；此外与现有传统抗辐照器件相比，宽长比设计不受限制，并具有较小面积、高集成度等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114094954A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111322728.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H03F1/42
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高平坦度级间匹配电路。本发明级间匹配电路包括变压器、输出等效并联RC电路、输入等效串联RC电路；其中，前一级输出端等效为并联RC结构，初级回路为并联谐振网络，后一级输入端等效为串联RC结构，次级回路为串联谐振网络；通过宽带的无源级间匹配电路，补偿晶体管本身具有的幅频响应曲线增益随频率下降的趋势，从而实现整个电路模块宽带的幅频响应曲线。本发明通过非对称的匹配电路设计，弥补晶体管本身不平坦的幅频响应曲线，实现高平坦度的电路设计。
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公开(公告)号：CN117526865A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311460168.6
申请日：2023-11-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于变压器耦合的双路噪声消除电路。本发明双路噪声消除电路包括信号输入电路、第一变压器网络、第二变压器网络、共栅NMOS晶体管、共源NMOS晶体管、第一负载阻抗、第二负载阻抗；其中，第一变压器网络和第二变压器网络分别具有N1和N2的线圈匝数比；共栅NMOS晶体组成共栅放大级，共源NMOS管组成共源放大级，即两者构成两路放大级；由于变压器的双向及宽带特性，两路噪声信号在输出端实现宽带的双路噪声消除。该双路噪声消除电路可以应用在单级电路或多级电路中；可以应用在射频电路或毫米波电路中。
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公开(公告)号：CN114094944A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111322726.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明属于抗辐照技术领域，具体为一种基于恒定跨导偏置电路的放大器辐照加固方法。本发明是对放大器配置一恒定跨导偏置电路；放大器用于实现射频及毫米波的小信号放大，适用于窄带及宽带情形；恒定跨导偏置电路在放大器的工作过程中检测放大器中晶体管的工作状态，自适应地使放大器中晶体管跨导保持恒定，让放大器在辐照产生总剂量效应的作用下始终能保持正常的小信号工作状态，实现辐照加固。本发明特别设计了针对射频/毫米波接收机上的窄带LNA情形的恒定跨导偏置电路。本发明通过引入恒定跨导偏置电路使放大器跨导恒定，降低辐照总剂量效应对放大器噪声、增益等小信号性能的影响，实现放大器的辐照加固。
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公开(公告)号：CN117579020A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311438964.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于LC谐振腔的N‑path滤波器电路。本发明N‑path滤波器电路包括开关电路、LC谐振腔；其中，4个开关电路的控制信号为四相位信号，信号相位差依次为#imgabs0#基于LC谐振腔的N‑path滤波器，通过LC谐振腔谐振在本征频率fLC处的特性，以工作在较低频率的开关电路实现高中心频率的N‑path滤波器，放松了N‑path滤波器对开关工作频率及时钟驱动电路的要求。
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公开(公告)号：CN114785365A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210238626.0
申请日：2022-03-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种电容辅助三线圈变压器。本发明变压器包括三线圈变压器、辅助电容；其中，三线圈变压器由三个电感、和组成；电感端子接到前一级的输出端，电感和电感接到后一级的两个不同输入端上；辅助电容的一端接到电感和电感的共节点，或者接到电感和电感的共节点，另一端接地。本发明可实现三线圈变压器中电感的耦合系数均可自由设计，从而实现电路设计的优化。
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