公开(公告)号：CN1598044A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410054021.8

申请日：2004-08-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邢贵川 ,  李笑然 ,  黄维

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明为一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法。它以传统的真空热蒸镀成膜方法为基础，引入强电场，使蒸发源里的材料粒子带上电荷，再通过加热蒸发，使这些带电的分子或粒子飞出，飞出的分子或粒子在电磁场的调控下精确飞向基板，最终成膜。与传统的热蒸发相比，本发明能够对蒸发出来的粒子的飞行方向和速度进行精确控制，从而提高所得到的光电子器件的光电性能，并带来一系列其他领域的应用。

公开(公告)号：CN100366788C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410066241.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄维 ,  邢贵川 ,  李笑然 ,  钟高余 ,  许军

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明为一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法。它以传统的真空热蒸镀成膜方法为基础，引入强电场，使蒸发源里的材料粒子带上电荷，再通过加热蒸发，使这些带电的分子或粒子飞出，飞出的分子或粒子在电磁场的调控下精确飞向基板，最终成膜。与传统的热蒸发相比，本发明能够对蒸发出来的粒子的飞行方向和速度进行精确控制，从而提高所得到的光电子与磁器件的光电磁性能，并带来一系列其他领域的应用。

公开(公告)号：CN1605652A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410066241.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄维 ,  邢贵川 ,  李笑然 ,  钟高余 ,  许军

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明为一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法。它以传统的真空热蒸镀成膜方法为基础，引入强电场，使蒸发源里的材料粒子带上电荷，再通过加热蒸发，使这些带电的分子或粒子飞出，飞出的分子或粒子在电磁场的调控下精确飞向基板，最终成膜。与传统的热蒸发相比，本发明能够对蒸发出来的粒子的飞行方向和速度进行精确控制，从而提高所得到的光电子与磁器件的光电磁性能，并带来一系列其他领域的应用。