公开(公告)号：CN101872081B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010197993.8

申请日：2010-06-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵新 ,  纪新明 ,  吴伟 ,  程伏涛 ,  俞燕蕾 ,  黄宜平

IPC: G02F1/13 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明属于液晶高分子材料技术领域，具体为一种光致形变液晶高分子可调谐光子晶体及其制备方法。本发明先设计出可见光内的三维光子晶体图形结构，制作出SiO2模板，再采用纳米压印等技术将SiO2上的光子晶体结构转移到液晶上。将本发明制得的液晶光子晶体置于玻璃基底上，通过控制外加调制光的强度、入射角度、曝光时间、外界温度的变化使得液晶由向列相转化为同性相，从而改变光子晶体的三维结构参数，使光子禁带的位置发生偏移。该光子晶体可用以设计偏振片、全光光开关、全光可调光衰减器等，以提高微流控、生物监测传感器的检测精度。

公开(公告)号：CN101872081A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010197993.8

申请日：2010-06-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵新 ,  纪新明 ,  吴伟 ,  程伏涛 ,  俞燕蕾 ,  黄宜平

IPC: G02F1/13 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明属于液晶高分子材料技术领域，具体为一种光致形变液晶高分子可调谐光子晶体及其制备方法。本发明先设计出可见光内的三维光子晶体图形结构，制作出SiO2模板，再采用纳米压印等技术将SiO2上的光子晶体结构转移到液晶上。将本发明制得的液晶光子晶体置于玻璃基底上，通过控制外加调制光的强度、入射角度、曝光时间、外界温度的变化使得液晶由向列相转化为同性相，从而改变光子晶体的三维结构参数，使光子禁带的位置发生偏移。该光子晶体可用以设计偏振片、全光光开关、全光可调光衰减器等，以提高微流控、生物监测传感器的检测精度。