公开(公告)号：CN1176983C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN02151233.7

申请日：2002-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋益明 ,  万星拱 ,  谢亨博 ,  李劲 ,  华中一

IPC: C08J5/18 ,  C08L67/03

Abstract: 本发明涉及一种电双稳薄膜及其应用。该薄膜材料为有机聚合物PEN。由于聚合物的高分子量特点，使得该薄膜在具有良好的电双稳特性的同时，还具有很好的热稳定性，可用于制备大容量电存贮器和过电压保护器等器件。

公开(公告)号：CN100410647C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510111067.3

申请日：2005-12-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋益明 ,  钟澄 ,  罗宇峰 ,  谢亨博 ,  李劲

IPC: G01N21/27 ,  G01N21/59

Abstract: 本发明属于薄膜传质表征技术领域，具体涉及一种表征金属有机双层薄膜传质动力学过程的方法。本发明引入透射光谱法以建立适合纳米尺度膜传质动力学过程的表征方法，表征尺度在5-20nm及以上范围。该发明对于给出金属有机纳米膜体系的扩散参量，揭示纳米尺度异常传质现象，具有重要的科学和应用价值。

公开(公告)号：CN1793847A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510111067.3

申请日：2005-12-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋益明 ,  钟澄 ,  罗宇峰 ,  谢亨博 ,  李劲

IPC: G01N21/27 ,  G01N21/59

Abstract: 本发明属于薄膜传质表征技术领域，具体涉及一种表征金属有机双层薄膜传质动力学过程的方法。本发明引入透射光谱法以建立适合纳米尺度膜传质动力学过程的表征方法，表征尺度在5－20nm及以上范围。该发明对于给出金属有机纳米膜体系的扩散参量，揭示纳米尺度异常传质现象，具有重要的科学和应用价值。

公开(公告)号：CN1523130A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03150920.7

申请日：2003-09-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋益明 ,  谢亨博 ,  郭峰 ,  刘平 ,  李劲

IPC: C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种金属－有机络合物MTCNQ电双稳态薄膜的制备方法。首先采用物理气相淀积法沉积金属M和TCNQ混合薄膜，再用化学电镀法制备得MTCNQ薄膜。由该方法制备的MTCNQ薄膜同时兼备真空反应蒸发方法表面平整度高和溶液法化学配比严格的优点，并且具备良好的电双稳特性，因此在微电子器件、分子电子器件和海量存贮器的制备等方面有着广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN1421479A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02151233.7

申请日：2002-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋益明 ,  万星拱 ,  谢亨博 ,  李劲 ,  华中一

IPC: C08J5/18 ,  C08L67/03

Abstract: 本发明涉及一种电双稳薄膜及其应用。该薄膜材料为有机聚合物PEN。由于聚合物的高分子量特点，使得该薄膜在具有良好的电双稳特性的同时，还具有很好的热稳定性，可用于制备大容量电存贮器和过电压保护器等器件。