公开(公告)号：CN85104012B

公开(公告)日：1987-12-02

申请号：CN85104012

申请日：1985-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 方志烈 ,  许建中

IPC: H01L25/04 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体发光显示器件。其电路底板采用双面铜箔板，正面镀金。反射腔框架采用ＡＢＳ等塑料，表面镀有优良导热性能的金属层，例如镀铬层。框架内侧再镀上银层，构成金属反射腔。从而提高了器件的散热效率和反射效率。这样就可以增加底板上安装发光二极管管芯密度，提高了亮度。例如十管芯的器件亮度达到７５０尼特以上。器件点亮三十分钟后亮度仅下降百分之十。本发明可广泛应用于军事、工业、交通等行业在高照度条件下的信息显示。

公开(公告)号：CN85104012A

公开(公告)日：1986-09-10

申请号：CN85104012

申请日：1985-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 方志烈 ,  许建中

IPC: H01L25/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体发光显示器件。其电路底板采用双面铜箔板，正面镀金。反射腔框架采用ABS等塑料，表面镀有优良导热性能的金属层，例如镀铬层。框架内侧再镀上银层，构成金属反射腔。从而提高了器件的散热效率和反射效率。这样就可以增加底板上安装发光二极管管芯密度，提高了亮度。例如十管芯的器件亮度达到750尼特以上。器件点亮三十分钟后亮度仅下降百分之十。本发明可广泛应用于军事、工业、交通等行业在高照度条件下的信息显示。