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公开(公告)号：CN115273939A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210868816.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种新型三元静态存储电路及其读出电路，采用数字方式，将三元信息量化为2’b10、2’b01、2’b00存储并读出。现有技术中，将三元信息存储为0、VDD/2、VDD的模拟电压量，并进行读出，采用大量传输门逻辑实现第三状态VDD/2电平的存储和读出。相较于现有技术中的三元存储电路及其读出电路，本实施例的新型三元静态存储电路及其读出电路在结构上不需要额外的VDD/2端口，不需要应用三元逻辑反相器实现VDD/2，不需要仅选取高阈值晶体管以确保电路功能正确；在性能上，本实施例中数据存储和读出阶段均不存在短路功耗，存储阶段仅有漏电流引起的静态功耗，电路功耗显著降低。本发明的电路还具有电路面积更小，电路稳定性好，不容易受噪声、失配等因素影响的优点。
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