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公开(公告)号：CN111446268A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010259203.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种新型单晶体管主动像素传感器及其制备方法，本发明在绝缘层上硅自下而上依序设置衬底、下层氧化埋层、中间硅层、上层氧化埋层、上层硅层，利用中间硅层作为光电敏感层，进行光电子的转换；转换的光电子被中间硅层两端的第一隔离槽、第二隔离槽和下层氧化埋层局限在本像素中，而不能向临近的像素迁移；通过在衬底施加背栅极脉冲，在衬底和中间硅层中形成深度耗尽，入射光在此深度耗尽区产生光生电子，受电场驱动聚集在上层氧化埋层/中间硅层的界面上，聚集的光生电子造成上层硅层中MOSFET中阈值电压移动；通过读出该阈值电压，得到像素的曝光剂量；本发明能减小光损耗，提高量子效率、防止不同像素间光生电子串扰。
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