公开(公告)号：CN102709346A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210151113.2

申请日：2012-05-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  王恒亮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明属于光波探测器技术领域，具体涉及一种半导体量子阱光探测器件。该探测器包括半导体层、量子阱层和一层亚波长周期性结构的金属膜；量子阱中至少具有两个能级，并具有一定的载流子浓度。一定频谱宽度入射光波垂直或倾斜于半导体层入射，入射光波激发周期性结构的金属膜/量子阱界面的表面等离子体，表面等离子体被半导体量子阱吸收并发生电子子带跃迁过程，跃迁的电子在外加偏压下形成电流信号。本发明中的半导体量子阱光探测器件，其探测效率可大幅度提高。

公开(公告)号：CN114203837B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202111332599.5

申请日：2021-11-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  王恒亮 ,  徐红涛 ,  陈平平 ,  陆卫

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及一种光子筛选型太赫兹光晶体管及其多光子探测方法，包括由上至下依次相对设置的耦合光栅层、光敏浮栅层和沟道层，耦合光栅层包括多个用于耦合增强不同目标太赫兹光子的子光栅，光敏浮栅层用于对应吸收经子光栅结构耦合增强后的光子，以改变电化学势、进而改变沟道层的电导，沟道层的一端连接至源极，沟道层的另一端连接至漏极。其中，耦合光栅层将不同太赫兹光子在其超元胞周期内空间上筛选区分，进而耦合到对应的太赫兹光敏浮栅区域，不同光子对应的光信号则根据光晶体管的源漏电流中读取出。与现有技术相比，本发明能够突破对每种单一光子探测效率小于1/n的极限，实现多光子同步高灵敏检测的目的。

公开(公告)号：CN115692522B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202110849095.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  徐红涛 ,  王恒亮 ,  陈平平 ,  陆卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  G01J1/16

Abstract: 本发明涉及一种双色量子阱红外探测器，包括上下相对设置的下层量子阱和上层量子阱，下层量子阱的两端分别连接至源极和漏极，上层量子阱表面设置有金属耦合光栅，金属耦合光栅连接有电脉冲发生器，上层量子阱用于吸收中波长的红外光，下层量子阱用于吸收长波长的红外光以及感应上、下层量子阱的电荷变化，电脉冲发生器用于输出不同方向和幅值的重置脉冲以施加在金属耦合光栅上。与现有技术相比，本发明通过在耦合光栅上施加不同方向和幅度的重置脉冲，来动态调控上层量子阱的势能变化、控制下层量子阱导电通道感应不同吸光区域的电荷变化，以对不同波段的光进行探测，本发明制备工艺和材料生长更为简化，有利于促进双色红外量子阱探测器的发展。

公开(公告)号：CN115692522A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110849095.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  徐红涛 ,  王恒亮 ,  陈平平 ,  陆卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  G01J1/16

Abstract: 本发明涉及一种双色量子阱红外探测器，包括上下相对设置的下层量子阱和上层量子阱，下层量子阱的两端分别连接至源极和漏极，上层量子阱表面设置有金属耦合光栅，金属耦合光栅连接有电脉冲发生器，上层量子阱用于吸收中波长的红外光，下层量子阱用于吸收长波长的红外光以及感应上、下层量子阱的电荷变化，电脉冲发生器用于输出不同方向和幅值的重置脉冲以施加在金属耦合光栅上。与现有技术相比，本发明通过在耦合光栅上施加不同方向和幅度的重置脉冲，来动态调控上层量子阱的势能变化、控制下层量子阱导电通道感应不同吸光区域的电荷变化，以对不同波段的光进行探测，本发明制备工艺和材料生长更为简化，有利于促进双色红外量子阱探测器的发展。

公开(公告)号：CN114203837A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111332599.5

申请日：2021-11-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  王恒亮 ,  徐红涛 ,  陈平平 ,  陆卫

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及一种光子筛选型太赫兹光晶体管及其多光子探测方法，包括由上至下依次相对设置的耦合光栅层、光敏浮栅层和沟道层，耦合光栅层包括多个用于耦合增强不同目标太赫兹光子的子光栅，光敏浮栅层用于对应吸收经子光栅结构耦合增强后的光子，以改变电化学势、进而改变沟道层的电导，沟道层的一端连接至源极，沟道层的另一端连接至漏极。其中，耦合光栅层将不同太赫兹光子在其超元胞周期内空间上筛选区分，进而耦合到对应的太赫兹光敏浮栅区域，不同光子对应的光信号则根据光晶体管的源漏电流中读取出。与现有技术相比，本发明能够突破对每种单一光子探测效率小于1/n的极限，实现多光子同步高灵敏检测的目的。