公开(公告)号：CN106384842B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201611003668.7

申请日：2016-11-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 余学斌 ,  炊菁

IPC: H01M10/0562 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为纳米LiBH4‑SiO2固态电解质及其制备方法。本发明方法包括：介孔材料SiO2的脱水处理；前躯体LiH‑介孔SiO2的制备；硼化剂Zn(BH4)2‑LiCl的制备；纳米LiBH4‑介孔SiO2的制备。其中，通过调节氢化锂的负载率与硼化剂的比例，控制LiBH4‑介孔SiO2的合成：纳米LiBH4的质量百分数为40~90%，介孔SiO2的质量百分数为60‑10%。介孔SiO2本身是不导离子的，而通过本发明的方法，整体的离子导电性却比大颗粒的LiBH4高100倍。因此，本发明所制备的材料具有优越的电化学性能。而且本发明方法工艺简单，合成方便；对设备要求不高，易于实现。

公开(公告)号：CN106384842A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201611003668.7

申请日：2016-11-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 余学斌 ,  炊菁

IPC: H01M10/0562 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M10/0562 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为纳米LiBH4-SiO2固态电解质及其制备方法。本发明方法包括：介孔材料SiO2的脱水处理；前躯体LiH-介孔SiO2的制备；硼化剂Zn(BH4)2-LiCl的制备；纳米LiBH4-介孔SiO2的制备。其中，通过调节氢化锂的负载率与硼化剂的比例，控制LiBH4-介孔SiO2的合成：纳米LiBH4的质量百分数为40~90%，介孔SiO2的质量百分数为60-10%。介孔SiO2本身是不导离子的，而通过本发明的方法，整体的离子导电性却比大颗粒的LiBH4高100倍。因此，本发明所制备的材料具有优越的电化学性能。而且本发明方法工艺简单，合成方便；对设备要求不高，易于实现。