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公开(公告)号：CN105154086A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510636880.6
申请日：2015-09-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法。本发明在常温下用硫化铵或硫化钾的甲酰胺溶液处理CdSe纳米粒子，得到CdSe/CdS核壳半导体纳米粒子，同时S2-取代掉CdSe纳米粒子表面的有机长碳链配体，使纳米粒子溶于甲酰胺等极性溶剂；接着在空气条件下光照2天，使半导体纳米粒子的荧光增强。(NH4)2S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到39.8%，3nm CdSe纳米粒子可增加到9.4%。K2S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到26.1%，3nm CdSe纳米粒子可增加到3.3%。本发明方法简单、反应条件温和，制得的CdSe/CdS核壳半导体量子点可溶于极性溶剂、高量子产率。在光电二极管、荧光标记等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105565293A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510951794.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/16
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种二维有序介孔碳骨架薄膜材料的制备方法。本发明采用溶液法制得单分散四氧化三铁纳米颗粒，通过溶剂挥发诱导纳米颗粒在不同基底上自组装成有序的纳米超晶格二维薄膜，再将颗粒表面的有机分子高温碳化获得碳包覆的四氧化三铁纳米超晶格二维薄膜，在薄膜表面镀一层聚合物后，通过刻蚀将四氧化三铁纳米颗粒和基底除去以获得有聚合物包覆的高度有序的二维介孔碳骨架薄膜材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，可对薄膜的厚度及介孔碳骨架的尺寸进行调控。基于二维有序介孔碳骨架薄膜具有较大的比表面积和孔体积，表面易于修饰等特点，本发明将在吸附与分离、传感、储能等方面具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105439121A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510947814.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/12 , C01P2006/16
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种三维有序方形孔介孔碳骨架的制备方法。本发明采用溶液法制得单分散方形四氧化三铁纳米颗粒，通过溶剂挥发诱导纳米颗粒自组装成三维有序的纳米超晶格固体，将颗粒表面的有机分子高温碳化获得碳包覆的三维方形四氧化三铁纳米超晶格，通过酸刻蚀将四氧化三铁纳米颗粒除掉获得高度有序的方形孔介孔碳材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，通过控制起始四氧化三铁纳米颗粒的形貌及大小，对介孔碳骨架的孔道的形状和大小进行调控。制备的材料介孔碳的孔结构高度有序且连续，比表面积大，结构稳定，在吸附与分离、储能、传感等方面有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN105129765A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510429826.4
申请日：2015-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种高度有序介孔的碳球及其制备方法。本发明首先通过高温热解纳米粒子前驱体反应，得到油酸包覆的金属氧化物纳米粒子；然后将所得纳米粒子溶于有机溶剂中，将溶液加入含表面活性剂的水相中形成水包油型乳液，再将油滴中的溶剂挥发蒸干，使纳米粒子排列组装形成微球，经磁铁吸附分离后，高温碳化，即得到由高度有序排列的碳包覆金属氧化物纳米粒子堆积成的微球；最后将纳米粒子刻蚀掉，即得到含有高度有序介孔的碳球。本发明方法简单，原料易得，成本较低。本发明所得含有序介孔的碳球具有极高的比表面积，在储能、医疗等领域具有宽广的应用前景。
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