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公开(公告)号：CN1040460A
公开(公告)日：1990-03-14
申请号：CN89106240.8
申请日：1989-07-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/76
Abstract: 本发明属半导体集成电路工艺结构领域，是一种埋层阻挡式多孔硅氧化形成SOI结构的新工艺。主要步骤包括锑或砷扩散，在硅衬底上形成n型埋层阻挡层；P型外延；磷或砷离子注入，形成n型岛器件区；阳极化，使P型外延层转化为多孔硅；多孔硅氧化，形成SOI结构。本发明工艺简单，实施方便，获得的SOI结构平整，缺陷密度小，n型硅岛间的击穿电压大于200伏，适于制作各种类型的集成电路和半导体器件。
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