公开(公告)号：CN117438874A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210816864.5

申请日：2022-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  张玉 ,  宋一雯 ,  武冠杰

IPC: H01S1/02

Abstract: 本发明涉及一种基于面内磁各向异性的太赫兹波发生器，包括飞秒脉冲激光器和面内磁各向异性多层膜，所述飞秒脉冲激光器位于面内磁各向异性多层膜的入光面一侧，用于产生飞秒脉冲激光；所述面内磁各向异性多层膜包括依次设置的绝缘衬底、铁磁层、非磁性层及防氧化层，所述防氧化层和绝缘衬底任意一侧为所述入光面；所述面内磁各向异性多层膜用于产生太赫兹波。与现有技术相比，本发明太赫兹发生器发射原理独特、结构简单、成本低廉，能够产生与非线性晶体可比拟的太赫兹发射功率、频谱，且具备更高的饱和能量密度。

公开(公告)号：CN111883653B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202010736792.4

申请日：2020-07-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  武冠杰

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及一种磁存储用高热稳定性硬磁‑非磁‑软磁复合薄膜结构，包括由下而上依次设置的缓冲层、种子层、硬磁层、非磁性夹层及软磁层；缓冲层为Ta单层膜，种子层为Pd单层膜，硬磁层为具有垂直磁各向异性的[Pd/Co]5多层膜，非磁性夹层为Cu单层膜，软磁层为具有垂直磁各向异性的[Co/Ni]5多层膜。与现有技术相比，本发明通过设置并改变非磁性夹层Cu的厚度，研制出具有合适垂直各向异性、矫顽场和磁阻尼的[Pd/Co]5/Cu(tCu)/[Co/Ni]5复合膜结构，并且Cu厚度在0～2.0nm范围内改变时可以对铁磁耦合场大小进行调控。对复合薄膜结构在空气中进行高温加热处理至100℃，发现Cu层的加入可以大大提高垂直各向异性场和磁阻尼的热稳定性。

公开(公告)号：CN111883653A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010736792.4

申请日：2020-07-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  武冠杰

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及一种磁存储用高热稳定性硬磁-非磁-软磁复合薄膜结构，包括由下而上依次设置的缓冲层、种子层、硬磁层、非磁性夹层及软磁层；缓冲层为Ta单层膜，种子层为Pd单层膜，硬磁层为具有垂直磁各向异性的[Pd/Co]5多层膜，非磁性夹层为Cu单层膜，软磁层为具有垂直磁各向异性的[Co/Ni]5多层膜。与现有技术相比，本发明通过设置并改变非磁性夹层Cu的厚度，研制出具有合适垂直各向异性、矫顽场和磁阻尼的[Pd/Co]5/Cu(tCu)/[Co/Ni]5复合膜结构，并且Cu厚度在0～2.0nm范围内改变时可以对铁磁耦合场大小进行调控。对复合薄膜结构在空气中进行高温加热处理至100℃，发现Cu层的加入可以大大提高垂直各向异性场和磁阻尼的热稳定性。