公开(公告)号：CN117881194A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311735126.9

申请日：2023-12-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 魏莹芬 ,  刘琦 ,  陆皓宇 ,  蒋昊 ,  李昱

IPC: H10B53/30 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明属于微电子领域，具体涉及一种HfO2基铁电电容器及其制备方法和应用，包括如下步骤：S1：在衬底表面生长底电极，随后在底电极表面沉积铁电介质层；S2：退火处理；S3：在退火处理后的铁电介质层表面涂覆负胶并曝光显影，随后在表面生长顶电极；S4：剥离工艺。与现有技术相比，本发明解决现有技术中超薄HZO层需要经过大量循环进行唤醒后才可正常使用的缺陷；本方案在HfO2基铁电电容器中实现了无需唤醒的铁电性，同时提高了耐久性和翻转速度。

公开(公告)号：CN119297078A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411363000.8

申请日：2024-09-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋昊 ,  刘琦 ,  李昱 ,  魏莹芬

IPC: H01L21/28 ,  H10N97/00 ,  H10B53/30 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明涉及一种调控铁电器件易失与非易失性的方法，方法包括以下步骤：基于性质要求设定铁电器件的铁电层厚度、介电层厚度、铁电层介电常数和介质层介电常数；对所述铁电器件接入外加电激励，控制铁电器件呈现所述性质要求对应的易失或非易失性；若性质要求发生改变，则重新设定铁电器件的铁电层厚度、介电层厚度、铁电层介电常数和介质层介电常数。与现有技术相比，本发明具有提高铁电器件泛用性等优点。

公开(公告)号：CN118212960A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410336051.5

申请日：2024-03-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋昊 ,  刘琦 ,  李昱 ,  魏莹芬

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种优化非易失SRAM单元及其控制方法，SRAM单元包括两个1S1C结构的非易失数据存储单元、两个晶体管单元、字线WL、第一位线BL、第二位线BLb和电源电压线PWL，所述两个1S1C结构的非易失数据存储单元分别为第一单元和第二单元，所述第一单元由选通管SL和铁电电容CL串联构成，所述第二单元由选通管SR和铁电电容CR串联构成。与现有技术相比，本发明具有克服传统的SRAM的易失特性，降低片上系统的功耗，提高数据存储和恢复的准确率，减小非易失SRAM单元的常规操作的干扰和功耗，提高寿命等优点。