公开(公告)号：CN1060821C

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN97106555.1

申请日：1997-08-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  李昕欣 ,  沈绍群 ,  杨恒

IPC: C23F1/32

Abstract: 本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积，光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀，用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构，有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的 方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用，可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。

公开(公告)号：CN1177021A

公开(公告)日：1998-03-25

申请号：CN97106555.1

申请日：1997-08-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  李昕欣 ,  沈绍群 ,  杨恒

IPC: C23F1/32

Abstract: 本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积,光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀,用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构,有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的 方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用,可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。