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发明公开
一种具有垂直磁各向异性的自旋阀无效

公开(公告)号：CN101320616A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810035234.4

申请日：2008-03-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 , 赵慧 , 李振亚 , 马斌 , 金庆原

IPC: H01F10/32 , H01L43/08 , H01L29/66 , G11B5/39

Abstract: 本发明属于磁记录技术领域，具体为一种具有垂直磁各向异性的自旋阀。本发明中上下铁磁层采用Co/Ni多层膜结构，利用磁控溅射的方法在常温下沉积而成。Co/Ni多层膜由于其较大的表面和界面各向异性而具有易磁化方向垂直于膜面的特性，且其磁垂直各向异性常数，矫顽力等性质可以通过Co，Ni层的厚度，周期数和缓冲层来调制。另外，Co，Ni都是磁性材料，有较大的自旋极化率。本发明中的完整自旋阀和赝自旋阀GMR信号可达5.4－7.7％，完整自旋阀的交换偏置场可达450Oe以上，热稳定性可达250℃。本发明在计算机硬盘读头，MRAM和其它自旋电子器件中有重大的应用价值。

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