公开(公告)号：CN102129264A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110021157.9

申请日：2011-01-19

Applicant: 复旦大学 ,  上海圣芮沃科技发展有限公司

Inventor： 成杨 ,  廖泽鑫 ,  赵喆 ,  周锋

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属集成电路技术领域，具体为一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源。它由四个NMOS管、两个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器，并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同，其余的四个NMOS管、两个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路，利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。

公开(公告)号：CN102122189A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110004229.9

申请日：2011-01-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 廖泽鑫 ,  成杨 ,  赵喆 ,  周峰

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属集成电路技术领域，具体为一种宽温度范围兼容标准CMOS工艺的温度补偿电流源。它由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器，并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同，其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路，利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、适应温度变化范围大、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。