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公开(公告)号：CN114578146A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210142716.X
申请日：2022-02-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种大动态范围和低频噪声测量系统。本发明系统包括树莓派PICO单片机、电源模块、信号输出模块、信号传输端口、电流测量模块、电压测量模块、噪声测量模块和A/D模块，这些模块通过针插式的方式连接在自行设计的双层PCB板上；树莓派PICO单片机向信号输出模块发送数字信号，获取并处理A/D模块转换得到的数字信号；信号输出模块输出满足测量需求的电压信号；电流测量模块测量待测器件的低边和高边电流；电压测量模块测量待测器件的电压并实现电压放大模块的自动调零；A/D模块获取电信号并将其转换为数字信号，发送给单片机。本发明系统硬件连接简单、动态范围大、测量功能丰富、测量速度快、测量精度高。
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公开(公告)号：CN113267714B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110472854.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于测试技术领域，具体为一种多针阵列式伪MOS结构测量探头。本发明测量探头由外围多根探针围绕中央一根探针呈环形均匀排布组成，中央一根探针接出一根引线作为源极（或漏极）传导，外围多根探针短路连接共同接出一根引线作为漏极（或源极）传导，中央一根探针与外围多根探针的间距相同，为0.2‑5mm；外围探针数量根据测试需要灵活设置。本发明提出的测量探头可有效屏蔽测量过程中的本征漏电点，且屏蔽效果随着外围多针数目的增加而增强。该测量探头可普遍应用于绝缘层上硅（SOI）、绝缘层上锗（GeOI）、氧化层上多晶硅等结构的测量和表征。
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公开(公告)号：CN113267714A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110472854.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于测试技术领域，具体为一种多针阵列式伪MOS结构测量探头。本发明测量探头由外围多根探针围绕中央一根探针呈环形均匀排布组成，中央一根探针接出一根引线作为源极（或漏极）传导，外围多根探针短路连接共同接出一根引线作为漏极（或源极）传导，中央一根探针与外围多根探针的间距相同，为0.2‑5mm；外围探针数量根据测试需要灵活设置。本发明提出的测量探头可有效屏蔽测量过程中的本征漏电点，且屏蔽效果随着外围多针数目的增加而增强。该测量探头可普遍应用于绝缘层上硅（SOI）、绝缘层上锗（GeOI）、氧化层上多晶硅等结构的测量和表征。
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