高线性度CMOS模拟开关
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1901371A

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:CN200610029168.0

    申请日:2006-07-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 彭云峰 严伟 周锋

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种具有高线性度的新型模拟开关。它由3个分压电阻、1个运算放大器、1个复制采样开关、1个采样开关、1个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路,为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压。将复制采样开关的栅电压经过升压电路后,作为采样开关的控制信号,以消除采样开关导通电阻随输入信号和阈值电压的变化,从而大大提高了采样开关的线性度。

    适用于低电压的高线性度CMOS模拟开关

    公开(公告)号:CN1901372A

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:CN200610029169.5

    申请日:2006-07-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 彭云峰 严伟 周锋

    Abstract: 本发明属集成电路技术领域,具体为一种适用于低电压的高线性度CMOS模拟采样开关。它由3个分压电阻、1个运算放大器、1个复制采样开关、1个采样开关、1个伪采样开关、2个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路,从而为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压。再将复制采样开关的栅电压作为采样开关的控制信号,以消除采样开关导通电阻随输入信号和阈值电压的变化,从而大大提高了采样开关的线性度。同时利用2个升压电路,消除了运放输出摆幅对电路功能的限制,实现了低电压下的正常工作。

    适用于低电压的高线性度CMOS模拟开关

    公开(公告)号:CN100557975C

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200610029169.5

    申请日:2006-07-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 彭云峰 严伟 周锋

    Abstract: 本发明属集成电路技术领域,具体为一种适用于低电压的高线性度CMOS模拟采样开关。它由3个分压电阻、1个运算放大器、1个复制采样开关、1个采样开关、1个伪采样开关、2个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路,从而为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压。再将复制采样开关的栅电压作为采样开关的控制信号,以消除采样开关导通电阻随输入信号和阈值电压的变化,从而大大提高了采样开关的线性度。同时利用2个升压电路,消除了运放输出摆幅对电路功能的限制,实现了低电压下的正常工作。

    高线性度CMOS模拟开关
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100521536C

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200610029168.0

    申请日:2006-07-20

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 彭云峰 严伟 周锋

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种具有高线性度的新型模拟开关。它由3个分压电阻、1个运算放大器、1个复制采样开关、1个采样开关、1个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路,为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压。将复制采样开关的栅电压经过升压电路后,作为采样开关的控制信号,以消除采样开关导通电阻随输入信号和阈值电压的变化,从而大大提高了采样开关的线性度。

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