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公开(公告)号：CN118588409A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410744604.0
申请日：2024-06-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁性元器件技术领域，具体涉及一种级联磁性元件。本发明为由多个磁性元件堆叠形成级联式磁性元件；每个磁性元件包括磁性材料构成的磁芯、绕组，每个磁性元件作扁平化处理，其宽度与厚度比大于10；相邻两层磁性元件之间、绕组的两侧设有气隙；本发明可实现高频下的高效能量转换，提高磁性元件的谐振频率和能量密度，降低涡流损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115842009A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211543480.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种寄生电感的抑制结构、一种功率电路模块，以及一种抑制寄生电感的方法。所述抑制结构包括：第一抑制片，由导电材料制成，覆盖功率电路的第一表面；第二抑制片，由导电材料制成，覆盖所述功率电路的第二表面，其中，所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路的相反方向；以及至少一个解耦电容，其第一端连接所述第一抑制片，而其第二端连接所述第二抑制片，用于在所述功率电路运行时从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路的工作电流反向的感应电流。
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公开(公告)号：CN118609960A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410744153.0
申请日：2024-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01F27/245 , H01F27/28
Abstract: 本发明属于磁性元件器技术领域，具体为一种二维平面磁性元件。本发明磁性元件；包括二维磁芯和绕组两部分；磁芯为二维结构，即其磁芯宽度与厚度之比大于10；具体采用纳米晶带材；绕组结构利用打印式PCB实现，通过折纸结构和焊盘的机械接触或焊接，形成闭环绕组电流结构。磁芯和绕组组合形成磁性元件，在绕组内部通入电流，在磁芯内产生磁场实现存储磁能，变压和滤波功能。本发明可降低涡流损耗，通过磁芯扁平化设计减少内部寄生电场，进一步降低损耗，可根据需求调整维度参数和，PCB打印式绕组维度。
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公开(公告)号：CN222637015U
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202421313167.9
申请日：2024-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01F27/245 , H01F27/28
Abstract: 本实用新型属于磁性元件器技术领域，具体为一种二维平面磁性元件。本实用新型磁性元件；包括二维磁芯和绕组两部分；磁芯为二维结构，即其磁芯宽度与厚度之比大于10；具体采用纳米晶带材；绕组结构利用打印式PCB实现，通过折纸结构和焊盘的机械接触或焊接，形成闭环绕组电流结构。磁芯和绕组组合形成磁性元件，在绕组内部通入电流，在磁芯内产生磁场实现存储磁能，变压和滤波功能。本实用新型可降低涡流损耗，通过磁芯扁平化设计减少内部寄生电场，进一步降低损耗，可根据需求调整维度参数和，PCB打印式绕组维度。
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公开(公告)号：CN222813397U
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202421314369.5
申请日：2024-06-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属于磁性元器件技术领域，具体涉及一种级联磁性元件。本实用新型为由多个磁性元件堆叠形成级联式磁性元件；每个磁性元件包括磁性材料构成的磁芯、绕组，每个磁性元件作扁平化处理，其宽度与厚度比大于10；相邻两层磁性元件之间、绕组的两侧设有气隙；本实用新型可实现高频下的高效能量转换，提高磁性元件的谐振频率和能量密度，降低涡流损耗。
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公开(公告)号：CN219286405U
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202223243115.2
申请日：2022-12-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型提供了一种寄生电感的抑制结构，以及一种功率电路模块。所述抑制结构包括：第一抑制片，由导电材料制成，覆盖功率电路的第一表面；第二抑制片，由导电材料制成，覆盖所述功率电路的第二表面，其中，所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路的相反方向；以及至少一个解耦电容，其第一端连接所述第一抑制片，而其第二端连接所述第二抑制片，用于在所述功率电路运行时从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路的工作电流反向的感应电流。
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