公开(公告)号：CN112802928A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202110112743.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛夏妍 ,  张宇宸 ,  张驰 ,  陆明

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  C30B1/02 ,  C30B7/14 ,  C30B28/02 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于硅光技术领域，具体为一种用于通用照明的硅白光发光二极管及其制备方法。本发明使用三乙氧基硅烷作为原材料，通过高温退火、氢氟酸腐蚀、表面改性等步骤制备得到独立的硅纳米晶（Si‑NC），将该硅纳米晶与旋涂玻璃（SOG）混合，并在适当的高温下退火，制成器件的有源层。通过调节退火温度和Si‑NC浓度来调整硅白光发光二极管的色度，使器件发光谱覆盖400nm‑800nm的白光区域。本发明为克服LED照明器件大量消耗稀土元素的问题提供了一种可能的解决方案，具有工艺简单、制备成本低的优势。

公开(公告)号：CN108017058A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711155227.3

申请日：2017-11-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张驰 ,  周文捷 ,  马磊 ,  张宇宸 ,  陆明

IPC: C01B33/023 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/59

CPC classification number: C01B33/023 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/59

Abstract: 本发明具体为一种以高压氢钝化提高光增益的硅纳米晶的制备方法。本发明借助半导体电子电路领域较为常见的氢钝化原理，以氢气为材料处理的基本原料，并以适当加温和高圧密封为手段，实现材料钝化。硅纳米晶作为一种全硅发光材料，其制备过程会产生大量缺陷中心。高压氢钝化能够有效对发光材料中的部分缺陷进行饱和与消除，减少非辐射复合中心，从而实现显著增加纳米晶体硅发光强度以及光增益的效果，提高光增益的纳晶硅材料可用于新型硅激光器的研制。本发明提出了一种不同于传统高温氢钝化以及等离子体氢钝化的氢钝化方法，该工艺不需维持高温，也不需经过等离子体放电过程，对材料发光增强效果显著，并且成本低廉、操作简单、安全可控。

公开(公告)号：CN112802928B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110112743.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛夏妍 ,  张宇宸 ,  张驰 ,  陆明

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  C30B1/02 ,  C30B7/14 ,  C30B28/02 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于硅光技术领域，具体为一种用于通用照明的硅白光发光二极管及其制备方法。本发明使用三乙氧基硅烷作为原材料，通过高温退火、氢氟酸腐蚀、表面改性等步骤制备得到独立的硅纳米晶（Si‑NC），将该硅纳米晶与旋涂玻璃（SOG）混合，并在适当的高温下退火，制成器件的有源层。通过调节退火温度和Si‑NC浓度来调整硅白光发光二极管的色度，使器件发光谱覆盖400nm‑800nm的白光区域。本发明为克服LED照明器件大量消耗稀土元素的问题提供了一种可能的解决方案，具有工艺简单、制备成本低的优势。