公开(公告)号：CN100487939C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510024437.X

申请日：2005-03-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄维 ,  张天翼 ,  许军 ,  钱东金 ,  白春礼

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种有机场效应管(OFET)器件及其制备方法。它包括一种可以用来传递取向效果的取向传递层，该种取向传递层作为绝缘层，从而提高有机场效应管载流子迁移率。该绝缘层由硅烷偶联剂对表面进行处理形成的单分子膜，其可以将取向层的取向效果优化并传递给有机层。根据本发明，通过取向传递层对取向效果的传递，可以改善有机分子层的分子排列，使采用该取向层的OFET器件的载流子迁移率得到改善。

公开(公告)号：CN1684286A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510024437.X

申请日：2005-03-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄维 ,  张天翼 ,  许军 ,  钱东金 ,  白春礼

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种有机场效应管(OFET)器件及其制备方法。它包括一种可以用来传递取向效果的取向传递层，该种取向传递层作为绝缘层，从而提高有机场效应管载流子迁移率。该绝缘层由硅烷偶联剂对表面进行处理形成的单分子膜，其可以将取向层的取向效果优化并传递给有机层。根据本发明，通过取向传递层对取向效果的传递，可以改善有机分子层的分子排列，使采用该取向层的OFET器件的载流子迁移率得到改善。

公开(公告)号：CN1588668A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410066234.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许军 ,  黄维 ,  张天翼

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/20 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种用于有机场效应管(OFET)的取向层，一种用来形成该种取向层的方法，一种使用该种取向层作为绝缘层，从而提高有机场效应管载流子迁移率的新型器件。该取向层(绝缘层)可进行离子束轰击取向处理。在该取向层上可形成具有良好分子取向的有机半导体层。根据本发明，通过对该取向层作取向处理，改善了有机半导体层的分子取向性，使采用该取向层的OFET的载流子迁移率特性得到了改善。