无BJT结构的新型CMOS电压基准源

    公开(公告)号:CN101109972A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200710045196.6

    申请日:2007-08-23

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 孔明 李文宏

    Abstract: 本发明属于模拟集成基准源电路技术领域,具体为一种无BJT结构的CMOS电压基准源。它由启动电路,偏置电路和基准产生电路三部分连接组成。该电压基准源仅采用MOS管来实现基准电压,无需寄生三极管,因此结构简单,功耗低,面积小,适合于功率管驱动电路,电压检测电路等中等精度要求的应用。

Patent Agency Ranking