公开(公告)号：CN105505393A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510968928.3

申请日：2015-12-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 董安钢 ,  刘丽敏 ,  杨东 ,  胡建华 ,  吕龙飞

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/881 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域，具体为一种快速显著增强CdSe量子点的荧光强度的方法。本发明首先通过现有技术中公开的方法在高温N2条件下制备CdSe量子点；然后室温条件下用硫化铵或硫化钾的甲酰胺溶液处理CdSe量子点，产生CdSe/CdS core-shell半导体纳米粒子；接着加入油胺和三辛基磷（简称TOP）,使CdSe/CdS core-shell半导体纳米粒子表面钝化，短时间内显著提高量子产率。本发明方法简单、反应条件温和，快速显著增强CdSe量子点的荧光强度。本发明制得的高量子产率的半导体量子点，在光电二极管、荧光标记等领域具有广宽的应用前景。