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公开(公告)号：CN116359249A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310367891.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/956 , G01N21/88
Abstract: 本发明属于晶圆检测技术领域，具体为基于TDI探测的线扫描暗场散射晶圆表面缺陷检测装置及方法。本发明检测装置包括照明光源、光束整形组件、运动控制组件、显微镜成像组件、CMOS图像传感器及计算机；光源发出光束经过光束整形组件入射到待测晶圆表面形成线光斑；运动控制组件控制晶圆的运动；显微镜成像组件收集待测晶圆的散射光；CMOS图像传感器将收集到的散射光转换为电信号进行成像并传输到计算机；计算机进行图像增强和缺陷提取。本发明通过线扫描，利用暗场散射原理收集晶圆表面缺陷的散射光，使用CMOS图像传感器对待测晶圆进行快速扫描成像，从而实现对晶圆表面缺陷的快速检测。本发明检测速度快，检测灵敏度高，具有重要实用意义。
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