公开(公告)号：CN88211371U

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN88211371

申请日：1988-01-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王言 ,  于连忠 ,  鲍敏杭

IPC: G01L9/06

Abstract: 本实用新型是一种芯片为双岛——梁——膜结构的半导体压力传感器。碰梁横贯双岛，并将硅膜分为对称的两个部分，力敏元件设置在硅梁上。与传统的膜式结果相比。有将应力二次集中的效果，提高了传感器的灵敏度和线性度。可用于微压测量领域，也可用力和加速度的测量领域。

公开(公告)号：CN88211370U

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN88211370

申请日：1988-01-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  王言 ,  于连忠

IPC: G01L9/06

Abstract: 用正面哑铃形的异形梁与平膜相结合的弹性体结构，在流体压力负载下可以产生符号不同的应力集中区，在这些区域设置力敏电阻器件(压阻全桥或四端单元件的力敏器件)可以制成高性能的压阻型压力传感器。这种压力传感器有灵敏度高，频响特性好，受振动、加速度或姿态的影响小等优点。由于关键的光刻对准工艺被集中到硅片的正面，使工艺加工的难度和对加工设备的要求降低，有利于成品率的提高和成本的下降。

公开(公告)号：CN88211369U

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN88211369

申请日：1988-01-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于连忠 ,  鲍敏杭 ,  吴宪平

IPC: G01L9/06

Abstract: 目前广泛使用的半导体压力传感器采用硅的平膜结构，其线性度在高输出时较差，精度无法提高。本实用新型采用了梁与平膜的组合结构，利用梁结构本身线性较好的特点，并保持了平膜结构的优点，从而制造出一种新型的高精度半导体压力传感器。

公开(公告)号：CN88201030U

公开(公告)日：1988-09-07

申请号：CN88201030

申请日：1988-01-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴宪平 ,  于连忠

IPC: G01L1/18 ,  G01L1/20

Abstract: 本实用新型属半导体压力传感器领域。其芯片结构特征为，在硅膜背面有由各向异性腐蚀形成的两个对称矩形硅岛，硅岛端面与器件衬底之间有一层间隙，硅膜正面相应于双岛之间的沟槽部位和岛与边框之间的沟槽部位设置力敏电阻，该组电阻联结成惠斯顿电桥。这种结构的压力传感器特点为灵敏度高，线性度好，并有过压保护功能，可广泛用于各种工业和医用测压系统，尤其是低压测量系统。

公开(公告)号：CN87211315U

公开(公告)日：1988-07-27

申请号：CN87211315

申请日：1987-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  齐薇佳 ,  于连忠

IPC: G01L1/00

Abstract: 近年来出现的横向电压型压力传感器的核心部分是制作在硅膜上的一个四端半导体电阻器。由于其几何形状与磁敏霍尔器件类似，这种压力传感器也有磁敏性。本实用新型把几何尺寸和工艺参数完全相同的两个四端电阻器根据硅膜的形状，选取一定的位置和取向，并以特定的方式组合输出，可以获得消除磁场的干扰而又加强压力信号的压力传感器。