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公开(公告)号：CN116364164A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310306387.2
申请日：2023-03-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种神经元器件耐久性测试及退化恢复方法，通过将固定电阻与并联外部电容或寄生电容的TS神经元器件串联，固定电阻未与TS器件相连的一端作为电压输入端，TS器件未与电阻相连的一端接地；在施加合适的恒定偏压下，TS器件两端的电压保持振荡行为，一个振荡周期TS器件完成一次开关。相比于以往的耐久性测试方案，本发明更易于实时监测多个开关周期的转变电压Vth、Vhold和相应的电压窗口VW，反映TS器件的退化规律。同时，本发明提出了一种在循环操作中通过提供负脉冲来抑制TS器件参数退化的器件退化恢复方法，能够显著抑制转变电压参数的漂移，使器件耐久性得到了有效提升。
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