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发明公开
介质电容器的底层电极结构及其制造方法无效转让

公开(公告)号：CN1181840A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN96193301.1

申请日：1996-04-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 , 卡洛斯·帕斯·德·阿劳约 , 约瑟夫·库奇阿罗

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/60

Abstract: 一种集成电路电容器(20)包括底层电极结构(24),该结构具有粘结金属部分(34)、金属部分(36)以及第二贵金属层(40)。制造方法包括在沉积第二贵金属层(40)使退火粘结金属部分(34)和贵金属部分(36)退火,以形成阻挡区(38)。电极(24)优选与金属氧化物层(26)接触,该层由钙钛矿或类钙钛矿的层状超晶格材料制成。形成临时覆盖层(59),并在制造中除掉该层,该层用于使器件潜在的极化率增加至少40%。

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