使用两个源极测量单元的设备测量

    公开(公告)号:CN110488171A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910384079.5

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 一种测试环境包括:第一测量单元,连接到MOSFET设备的栅极;以及第二测量单元,连接到所述MOSFET设备的漏极。所述测试环境对于测试针对MOSFET设备的栅极电荷而言特别有用。在第一阶段中,利用电流驱动设备的栅极,同时利用恒定电压驱动漏极。随着所述MOSFET设备接通,所述第二测量单元从提供所述恒定电压切换到提供恒定电流到MOSFET的漏极,同时测量漏电压。模式的切换是自动的,且在没有用户干预的情况下发生。在所述MOSFET设备已经被栅电流驱动到VgsMax之后,所有相关数据被存储,可以分析该所有相关数据并在用户界面中将该所有相关数据呈现给用户,或者以其他方式呈现该所有相关数据。

    用于测试集成电路的探针卡系统

    公开(公告)号:CN109298215A

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201810825434.3

    申请日:2018-07-25

    Abstract: 公开了用于测试集成电路的探针卡系统。一种用于测试集成电路晶片的系统,该系统包括具有探针尖针和包围压力室的探针主体的探针卡。探针主体包括一体式侧壁,除了第一端盖中的出口通道之外实质上封闭探针主体的第一端的第一端盖,以及被配置成将压缩气体引入到压力室内的入口通道。探针尖针是在压力室中并且被探针主体支承。探针尖针的自由端延伸通过出口通道。探针尖针的各端被探针尖针中的第一弯曲部分离,第一弯曲部具有位于探针尖针与一体式侧壁的纵向中心线之间的曲率中心。还公开了使用探针卡的方法。

    使用两个源极测量单元的设备测量

    公开(公告)号:CN110488171B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN201910384079.5

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 一种测试环境包括:第一测量单元,连接到MOSFET设备的栅极;以及第二测量单元,连接到所述MOSFET设备的漏极。所述测试环境对于测试针对MOSFET设备的栅极电荷而言特别有用。在第一阶段中,利用电流驱动设备的栅极,同时利用恒定电压驱动漏极。随着所述MOSFET设备接通,所述第二测量单元从提供所述恒定电压切换到提供恒定电流到MOSFET的漏极,同时测量漏电压。模式的切换是自动的,且在没有用户干预的情况下发生。在所述MOSFET设备已经被栅电流驱动到VgsMax之后,所有相关数据被存储,可以分析该所有相关数据并在用户界面中将该所有相关数据呈现给用户,或者以其他方式呈现该所有相关数据。

    用于测试集成电路的探针卡系统

    公开(公告)号:CN109298215B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN201810825434.3

    申请日:2018-07-25

    Abstract: 公开了用于测试集成电路的探针卡系统。一种用于测试集成电路晶片的系统,该系统包括具有探针尖针和包围压力室的探针主体的探针卡。探针主体包括一体式侧壁,除了第一端盖中的出口通道之外实质上封闭探针主体的第一端的第一端盖,以及被配置成将压缩气体引入到压力室内的入口通道。探针尖针是在压力室中并且被探针主体支承。探针尖针的自由端延伸通过出口通道。探针尖针的各端被探针尖针中的第一弯曲部分离,第一弯曲部具有位于探针尖针与一体式侧壁的纵向中心线之间的曲率中心。还公开了使用探针卡的方法。

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