公开(公告)号：CN1761643A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200480007367.0

申请日：2004-03-15

Applicant: 坂东化学株式会社

Inventor： 稻田宏 ,  赤司信隆 ,  林知子

IPC: C07C211/58

CPC classification number: C07C211/58 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/5048

Abstract: 本发明提供由通式(I)(式中，A表示萘基、蒽基或菲基；R表示氢原子或二芳基氨基)表示的1，3，5－三(芳基氨基)苯类。上述化合物氧化电位为0.5～0.6V左右，在氧化还原过程中的可逆性优良，同时具有高玻璃化转变温度，进而，由于耐热性也优良，因此通过涂覆法或真空蒸镀法，可以容易地制备实用性优良的有机半导体膜，并且，在常温以上的温度下其自身，即，在没有粘合剂树脂的辅助下，可以形成稳定的非晶态膜，因此可以形成由其自身构成的稳定且耐久性优良的高性能有机半导体膜。

公开(公告)号：CN100402489C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN03807138.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 坂东化学株式会社 ,  城田靖彦

Inventor： 城田靖彦 ,  赤司信隆 ,  则定英树 ,  林知子

IPC: C07C211/54 ,  C07C211/57 ,  C07C211/58 ,  G03G5/06

CPC classification number: C07C211/54 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  G03G5/0614 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明提供通式(I)表示的1，3，5-三(芳氨基)苯类。(式中，A表示萘基、蒽基、菲基、联苯基或者三联苯基，R表示碳原子数1～6的烷基或者碳原子数5或6的环烷基。)这种1，3，5-三(芳氨基)苯类氧化电位为0.5～0.6V，氧化还原过程中的可逆性优良，同时玻璃化转变温度高，而且在常温以上的温度下，其本身即不借助于粘合剂树脂，可以形成稳定的非晶膜，可以形成由其本身构成的稳定且耐久性优良的高性能有机半导体膜。

公开(公告)号：CN1642903A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807138.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 坂东化学株式会社 ,  城田靖彦

Inventor： 城田靖彦 ,  赤司信隆 ,  则定英树 ,  林知子

IPC: C07C211/54 ,  C07C211/57 ,  C07C211/58 ,  G03G5/06

CPC classification number: C07C211/54 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  G03G5/0614 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明提供通式(I)表示的1，3，5－三(芳氨基)苯类。(式中，A表示萘基、蒽基、菲基、联苯基或者三联苯基，R表示碳原子数1－6的烷基或者碳原子数5或6的环烷基。)这种1，3，5－三(芳氨基)苯类氧化电位为0.5～0.6V，氧化还原过程中的可逆性优良，同时玻璃化转变温度高，而且在常温以上的温度下，其本身即不借助于粘合剂树脂，可以形成稳定的非晶膜，可以形成由其本身构成的稳定且耐久性优良的高性能有机半导体膜。