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公开(公告)号:CN1311106C
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN03813659.7
申请日:2003-06-11
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
Abstract: 本发明涉及含有稀土卤化物的组合物的处理方法,特别是在使用所述组合物生长晶体的范围内的处理方法,所述晶体一般具有式AeLnfX(3f+e),其中式中Ln代表一种或多种稀土,X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子,而A代表一种或多种碱金属,例如K、Li、Na、Rb或Cs,e和f代表如下的值:e可以是零,小于或等于2f;f是大于或等于1。本发明这样可以实施具有显著闪烁性能单晶的生长。
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公开(公告)号:CN1659318A
公开(公告)日:2005-08-24
申请号:CN03813659.7
申请日:2003-06-11
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
Abstract: 本发明涉及含有稀土卤化物的组合物的处理方法,特别是在使用所述组合物生长晶体的范围内的处理方法,所述晶体一般具有式AeLnfX(3f+e),其中式中Ln代表一种或多种稀土,X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子,而A代表一种或多种碱金属,例如K、Li、Na、Rb或Cs,e和f代表如下的值:e可以是零,小于或等于2f;f是大于或等于1。本发明这样可以实施具有显著闪烁性能单晶的生长。
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公开(公告)号:CN1717466B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN200380104320.1
申请日:2003-11-13
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
Inventor: A·伊尔蒂斯
CPC classification number: C04B35/653 , C04B35/5152 , C04B2235/3201 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/444 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C09K11/7704 , C09K11/7772 , C30B11/00 , C30B29/12
Abstract: 本发明涉及一种式AeLnfX(3f+e)多晶卤化物块的制备方法,其中Ln代表一种或多种稀土;X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子;A代表一种或多种碱金属,例如K、Li、Na、Rb或Cs;e可以是零,不大于3f,f不小于1,水和卤氧化物含量低,所述的方法包括下述步骤:加热至少一种含有至少一种Ln-X键的化合物与足够量的NH4X的混合物的步骤,以达到所需要的卤氧化物含量,所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块,所述的加热步骤后接一个冷却步骤,在达到300℃之后而得到熔融块之前,加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。
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公开(公告)号:CN1942783B
公开(公告)日:2011-03-09
申请号:CN200580011302.8
申请日:2005-04-12
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
Inventor: A·伊尔蒂斯
Abstract: 本发明涉及通式为AnLnpX(3p+n)的无机闪烁剂材料,其中Ln表示一种或几种稀土元素,X表示一种或几种选自F、Cl、Br或I的卤素原子,而A表示一种或几种碱金属,比如K、Li、Na、Rb或Cs,n和p表示化合价,比如n可以是0,小于或等于2p,p大于或等于1,其中铀系和钍系的含量要足够小,使得来自这些元素的α射线的活性小于0.7Bq/cm3。该材料具有很小的核本底,特别适合于作为测量厚度或克数,或者在核医学、物理学、化学、石油勘探领域中,在检查危险品或违禁品中作为闪烁剂使用。
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公开(公告)号:CN1942783A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200580011302.8
申请日:2005-04-12
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
Inventor: A·伊尔蒂斯
Abstract: 本发明涉及通式为AnLnpX(3p+n)的无机闪烁剂材料,其中Ln表示一种或几种稀土元素,X表示一种或几种选自F、Cl、Br或I的卤素原子,而A表示一种或几种碱金属,比如K、Li、Na、Rb或Cs,n和p表示化合价,比如n可以是0,小于或等于2p,p大于或等于1,其中铀系和钍系的含量要足够小,使得来自这些元素的α射线的活性小于0.7Bq/cc。该材料具有很小的核背景噪音,特别适合于作为测量厚度或克数,或者在核医学、物理学、化学、石油勘探领域中,在检查危险品或违禁品中作为闪烁剂使用。
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公开(公告)号:CN1717466A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200380104320.1
申请日:2003-11-13
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
Inventor: A·伊尔蒂斯
CPC classification number: C04B35/653 , C04B35/5152 , C04B2235/3201 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/444 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C09K11/7704 , C09K11/7772 , C30B11/00 , C30B29/12
Abstract: 本发明涉及一种式AeLnfX(3f+e)多晶卤化物块的制备方法,其中Ln代表一种或多种稀土;X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子;A代表一种或多种碱金属,例如K、Li、Na、Rb或Cs;e可以是零,不大于3f,f不小于1,水和卤氧化物含量低,所述的方法包括下述步骤:加热至少一种含有至少一种Ln-X键的化合物与足够量的NH4X的混合物的步骤,以达到所需要的卤氧化物含量,所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块,所述的加热步骤后接一个冷却步骤,在达到300℃之后而得到熔融块之前,加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。
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