公开(公告)号：CN101969030B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010278004.8

申请日：2005-09-29

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 陈华杰 ,  杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 ,  吴尚贤 ,  斯德哈萨·潘达 ,  沃纳·A·劳施 ,  佐藤力 ,  亨利·K·尤托莫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管FET(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。

公开(公告)号：CN101032018B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200580032811.9

申请日：2005-09-29

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 陈华杰 ,  杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 ,  吴尚贤 ,  斯德哈萨·潘达 ,  沃纳·A.·劳施 ,  佐藤力 ,  亨利·K.·尤托莫

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(FET)(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。所述FET(10)还可以包括设置在所述第一隔离体(32)上的第二隔离体(34)以及至少部分上覆盖所述半导体合金区(39)的硅化物区(40)，其中该硅化物区(40)被所述第一和第二隔离体(32,34)与所述栅极叠层(29)隔开。

公开(公告)号：CN101032018A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032811.9

申请日：2005-09-29

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 陈华杰 ,  杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 ,  吴尚贤 ,  斯德哈萨·潘达 ,  沃纳·A.·劳施 ,  佐藤力 ,  亨利·K.·尤托莫

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(FET)(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。所述FET(10)还可以包括设置在所述第一隔离体(32)上的第二隔离体(34)以及至少部分上覆盖所述半导体合金区(39)的硅化物区(40)，其中该硅化物区(40)被所述第一和第二隔离体(32，34)与所述栅极叠层(29)隔开。

公开(公告)号：CN101969030A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010278004.8

申请日：2005-09-29

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 陈华杰 ,  杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 ,  吴尚贤 ,  斯德哈萨·潘达 ,  沃纳·A·劳施 ,  佐藤力 ,  亨利·K·尤托莫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管FET(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。

公开(公告)号：CN101236968B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810008903.9

申请日：2008-01-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 尹海洲 ,  刘小虎 ,  斯德哈萨·潘达 ,  欧阳齐庆 ,  杨美基

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78687

Abstract: 公开了一种具有独立应变的沟道区的NMOS和PMOS器件结构及其制造方法。NMOS器件的源极和漏极由使得NMOS器件沟道的应变朝着拉伸方向偏移的材料外延生长。而PMOS器件的源极和漏极由使得PMOS器件沟道的应变朝着压缩方向偏移的材料外延生长。

公开(公告)号：CN101236968A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008903.9

申请日：2008-01-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 尹海洲 ,  刘小虎 ,  斯德哈萨·潘达 ,  欧阳齐庆 ,  杨美基

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78687

Abstract: 公开了一种具有独立应变的沟道区的NMOS和PMOS器件结构及其制造方法。NMOS器件的源极和漏极由使得NMOS器件沟道的应变朝着拉伸方向偏移的材料外延生长。而PMOS器件的源极和漏极由使得PMOS器件沟道的应变朝着压缩方向偏移的材料外延生长。