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公开(公告)号：CN101452885A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810183017.X
申请日：2008-12-03
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/823878 , H01L21/823842
Abstract: 用于形成多个自对准栅极叠层的方法，该方法包括，在衬底的第一部分上形成第一组栅极叠层，在与该衬底的第一部分相邻的该衬底的第二部分上形成第二组栅极叠层，进行蚀刻以便在该衬底的该第一部分和该第二部分之间形成一个沟槽，以及利用绝缘材料填充该沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101937874A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010212242.9
申请日：2010-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/26586 , H01L21/823412 , H01L29/66492 , H01L29/66659
Abstract: 本发明提供一种形成不对称场效应晶体管的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底的顶上至少形成第一和第二栅极-掩模叠层，其中第一和第二栅极-掩模叠层至少分别包括第一和第二晶体管的第一和第二栅极导体并分别具有顶表面、第一侧以及第二侧，其中第二侧与第一侧相反；从第一和第二栅极-掩模叠层的第一侧以第一角度进行第一晕圈注入，同时应用第一栅极-掩模叠层来防止第一晕圈注入到达第二晶体管的第一源极/漏极区，其中第一角度等于或大于预定值；以及从第一和第二栅极-掩模叠层的第二侧以第二角度进行第二晕圈注入，由此在第二晶体管的第二源极/漏极区中产生晕圈注入物，其中相对于衬底的法线测量第一和第二角度。
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公开(公告)号：CN102598273B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080045288.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L21/74 , H01L21/76229 , H01L21/76283 , H01L29/66772
Abstract: 本发明公开了一种体硅层上的SOI器件，其具有FET区、主体接触区和STI区。该FET区由SOI层和上覆栅极组成。该STI区包括第一STI层，该STI层将该SOI器件与相邻SOI器件分开。该主体接触区包括该SOI层的延伸部分、该延伸部分上的第二STI层以及与该延伸部分接触的主体接触。该第一STI层和该第二STI层邻接并且具有不同厚度以便形成分层STI。
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公开(公告)号：CN101452885B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810183017.X
申请日：2008-12-03
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/823878 , H01L21/823842
Abstract: 用于形成多个自对准栅极叠层的方法，该方法包括，在衬底的第一部分上形成第一组栅极叠层，在与该衬底的第一部分相邻的该衬底的第二部分上形成第二组栅极叠层，进行蚀刻以便在该衬底的该第一部分和该第二部分之间形成一个沟槽，以及利用绝缘材料填充该沟槽。
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公开(公告)号：CN101937874B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010212242.9
申请日：2010-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/26586 , H01L21/823412 , H01L29/66492 , H01L29/66659
Abstract: 本发明提供一种形成不对称场效应晶体管的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底的顶上至少形成第一和第二栅极-掩模叠层，其中第一和第二栅极-掩模叠层至少分别包括第一和第二晶体管的第一和第二栅极导体并分别具有顶表面、第一侧以及第二侧，其中第二侧与第一侧相反；从第一和第二栅极-掩模叠层的第一侧以第一角度进行第一晕圈注入，同时应用第一栅极-掩模叠层来防止第一晕圈注入到达第二晶体管的第一源极/漏极区，其中第一角度等于或大于预定值；以及从第一和第二栅极-掩模叠层的第二侧以第二角度进行第二晕圈注入，由此在第二晶体管的第二源极/漏极区中产生晕圈注入物，其中相对于衬底的法线测量第一和第二角度。
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公开(公告)号：CN102598273A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080045288.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L21/74 , H01L21/76229 , H01L21/76283 , H01L29/66772
Abstract: 本发明公开了一种体硅层上的SOI器件，其具有FET区、主体接触区和STI区。该FET区由SOI层和上覆栅极组成。该STI区包括第一STI层，该STI层将该SOI器件与相邻SOI器件分开。该主体接触区包括该SOI层的延伸部分、该延伸部分上的第二STI层以及与该延伸部分接触的主体接触。该第一STI层和该第二STI层邻接并且具有不同厚度以便形成分层STI。
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