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公开(公告)号：CN117063626A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280022678.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 玉仁祚 , A·雷茨尼采克 , 徐顺天 , 金永硕 , T·菲利普
IPC: H10B63/10 , H10N70/20
Abstract: 本发明的实施例可以包括一种半导体结构。该半导体结构可以包括位于加热器上方的相变元件。加热器可以包括围绕电介质元件的导电元件。该电介质元件可以包括气隙。
