公开(公告)号：CN103871894B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310626171.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  M·A·古罗恩 ,  A·格里尔 ,  L·希

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供一结构，该结构包括处理衬底、位于所述处理衬底的最上表面上方的掩埋氮化硼层、位于所述掩埋氮化硼层的最上表面上的掩埋氧化物层、以及位于所述掩埋氧化物层的最上表面上的顶部半导体层。接下来，将第一半导体衬垫、第二半导体衬垫和多条半导体纳米线构图到所述顶部半导体层中，所述半导体纳米线以梯子状构造连接所述第一半导体衬垫和所述第二半导体衬垫。通过从每条半导体纳米线下方去除所述掩埋氧化物层的一部分而使所述半导体纳米线悬置，其中所述掩埋氮化硼层的最上表面的一部分暴露。接下来，形成全包围栅场效应晶体管。

公开(公告)号：CN102272926A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153493.X

申请日：2009-12-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·O·丘 ,  R·H·德纳德 ,  J·A·奥特 ,  D·K·萨达纳 ,  L·希

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括：体衬底；下部绝缘层，形成在体衬底上；导电层，形成在下部绝缘层上；上部绝缘层，形成在导电层上，上部绝缘层从成对的分离的绝缘层形成，在这成对的分离的绝缘层之间具有键合界面；以及半导体层，形成在上部绝缘层上。

公开(公告)号：CN103871894A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310626171.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  M·A·古罗恩 ,  A·格里尔 ,  L·希

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供一结构，该结构包括处理衬底、位于所述处理衬底的最上表面上方的掩埋氮化硼层、位于所述掩埋氮化硼层的最上表面上的掩埋氧化物层、以及位于所述掩埋氧化物层的最上表面上的顶部半导体层。接下来，将第一半导体衬垫、第二半导体衬垫和多条半导体纳米线构图到所述顶部半导体层中，所述半导体纳米线以梯子状构造连接所述第一半导体衬垫和所述第二半导体衬垫。通过从每条半导体纳米线下方去除所述掩埋氧化物层的一部分而使所述半导体纳米线悬置，其中所述掩埋氮化硼层的最上表面的一部分暴露。接下来，形成全包围栅场效应晶体管。