公开(公告)号：CN103733337A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280039580.4

申请日：2012-08-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·维尔瓦尼 ,  K·戈帕拉克里希南 ,  R·S·谢诺伊 ,  D·S·贝休恩 ,  A·J·科洛克

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/82 ,  H01L29/86 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/872 ,  G11C13/003 ,  G11C2029/5002 ,  G11C2029/5006 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1616

Abstract: 在两个导电电极之间夹置的晶体半导体类肖特基势垒二极管与存储器元件、字线和位线串联，其中该设置提供大于IV的电压容限以及大于5×106A/cm2的电流密度。该类肖特基势垒二极管可以在与低温BEOL半导体加工兼容的条件下制造，可以在低电压下提供高电流，呈现高的导通-关断比，并且实现了大存储器阵列。

公开(公告)号：CN103733337B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280039580.4

申请日：2012-08-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·维尔瓦尼 ,  K·戈帕拉克里希南 ,  R·S·谢诺伊 ,  D·S·贝休恩 ,  A·J·科洛克

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/82 ,  H01L29/86 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/872 ,  G11C13/003 ,  G11C2029/5002 ,  G11C2029/5006 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1616

Abstract: 在两个导电电极之间夹置的晶体半导体类肖特基势垒二极管与存储器元件、字线和位线串联，其中该设置提供大于IV的电压容限以及大于5x106A/cm2的电流密度。该类肖特基势垒二极管可以在与低温BEOL半导体加工兼容的条件下制造，可以在低电压下提供高电流，呈现高的导通-关断比，并且实现了大存储器阵列。