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发明公开
用于增加电容的背面浮置金属审中-实审

公开(公告)号：CN117355938A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037571.5

申请日：2022-06-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·兰兹罗 , H·施彼哈 , 黄淮 , L·克莱文格

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种具有一个或多个背面金属层的半导体结构，所述一个或多个背面金属层包括由介电材料与背面金属层中的一个或多个电源线和地线分离的浮置金属层的多个部分。在一个或多个背面金属层中的每个背面金属层中的浮置金属层的多个部分中的每个部分的高度和在一个或多个背面金属层中的每个背面金属层中的浮置金属层的多个部分的相邻部分之间的距离与一个或多个背面金属层中的每个背面金属层的电容相关。

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