公开(公告)号：CN113785193A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080033668.X

申请日：2020-04-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  姚正邦 ,  B.赫克马肖塔巴里

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/73

Abstract: 生物传感器包括体硅衬底和形成在衬底的至少一部分上的垂直双极结晶体管(BJT)。BJT包括发射区、集电区和在发射区和集电区之间外延生长的本征基极区。生物传感器还包括在BJT的本征基极区的两个垂直表面的至少一部分上形成的感测结构。感测结构包括通道/沟道开口，在其至少第一和第二相对侧上暴露本征基极区，以及形成在沟道/沟道开口中并接触本征基极区的至少一部分的至少一介电层，介电层被配置为响应生物分子中的电荷。

公开(公告)号：CN113785193B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202080033668.X

申请日：2020-04-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  姚正邦 ,  B.赫克马肖塔巴里

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/73

Abstract: 生物传感器包括体硅衬底和形成在衬底的至少一部分上的垂直双极结晶体管(BJT)。BJT包括发射区、集电区和在发射区和集电区之间外延生长的本征基极区。生物传感器还包括在BJT的本征基极区的两个垂直表面的至少一部分上形成的感测结构。感测结构包括通道/沟道开口，在其至少第一和第二相对侧上暴露本征基极区，以及形成在沟道/沟道开口中并接触本征基极区的至少一部分的至少一介电层，介电层被配置为响应生物分子中的电荷。