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公开(公告)号:CN102612742B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201080051702.2
申请日:2010-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/7841
Abstract: 提供一种具有至少一个可编程电浮置背板的SOI CMOS结构。各个电浮置背板是单独可编程的。可以通过将电子注入各个导电浮置背板执行编程。可以通过将电子遂穿出浮置背板来实现编程的擦除。两种方式中的至少一种可以实现电浮置背板的编程。两种方式包括Fowler-Nordheim遂穿和使用SOI pFET的热电子注入。使用pFET的热电子注入可以以远低于通过遂穿电子注入的注入的电压来实现。
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公开(公告)号:CN101414255A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200710180896.6
申请日:2007-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F9/44
CPC classification number: G06F11/3476 , G06F11/3495 , G06F2201/86
Abstract: 公开了一种日志事件处理方法和设备,该方法包括步骤:接收日志事件;确定该日志事件是否满足预定的条件;以及当该日志事件满足该预定的条件时,执行根据该预定的条件确定的处理。本方法和设备能够在不改变现有软件和硬件架构的前提下,根据日志事件执行根据预定的条件确定的处理。
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公开(公告)号:CN102612742A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201080051702.2
申请日:2010-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/7841
Abstract: 提供一种具有至少一个可编程电浮置背板的SOI CMOS结构。各个电浮置背板是单独可编程的。可以通过将电子注入各个导电浮置背板执行编程。可以通过将电子遂穿出浮置背板来实现编程的擦除。两种方式中的至少一种可以实现电浮置背板的编程。两种方式包括Fowler-Nordheim遂穿和使用SOI pFET的热电子注入。使用pFET的热电子注入可以以远低于通过遂穿电子注入的注入的电压来实现。
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