公开(公告)号：CN100544022C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200480039512.3

申请日：2004-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈永聪 ,  玛斯莫·V.·菲斯切特 ,  约翰·M.·赫根罗瑟 ,  杨美基 ,  拉杰施·仁加拉简 ,  亚历山大·里兹尼克 ,  保罗·所罗门 ,  宋均镛 ,  杨敏

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/04

Abstract: 具有 晶体取向含硅层的半导体材料及其形成方法，该半导体材料具有增强的电子和空穴迁移率，该材料包括在双轴压缩应变下的具有 晶体取向的含硅层。术语“双轴压缩应变”在此处用来描述由纵向压缩应力和横向应力产生的净应力，此横向应力在半导体材料制造过程中引入含硅层上。本发明的其它方面涉及形成本发明的半导体材料的方法。本发明的方法包括提供含硅 层；和在所述含硅 层中产生双轴应变。

公开(公告)号：CN101002327A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200480039512.3

申请日：2004-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈永聪 ,  玛斯莫·V.·菲斯切特 ,  约翰·M.·赫根罗瑟 ,  杨美基 ,  拉杰施·仁加拉简 ,  亚历山大·里兹尼克 ,  保罗·所罗门 ,  宋均镛 ,  杨敏

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明提供了一种具有增强的电子和空穴迁移率的半导体材料，该材料包括在双轴压缩应变下的具有 晶体取向的含硅层。术语"双轴压缩应变"在此处用来描述由纵向压缩应力和横向应力产生的净应力，此横向应力在半导体材料制造过程中引入含硅层上。本发明的其它方面涉及形成本发明的半导体材料的方法。本发明的方法包括提供含硅 层；和在所述含硅 层中产生双轴应变。