公开(公告)号：CN1553369A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03138197.9

申请日：2003-05-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 林红 ,  宋松 ,  孙沛 ,  申俊

IPC: G06F17/00 ,  G06F9/45

CPC classification number: H04W4/12 ,  H04L51/10 ,  H04L51/38 ,  H04W88/02 ,  H04W88/184

Abstract: 本发明涉及一种用于多媒体消息业务的互动方法、用户终端及其通信系统。所述方法包括：从服务器接收多媒体消息；在用户终端上生成显示或播放多媒体消息的页面，其中，在所显示或播放的多媒体消息内嵌入一个或多个控件，多个控件之间定义了关联关系；响应所述一个或多个控件的操作，触发至少一个动作事件并执行相应的动作。根据本发明，在用户移动终端能自动生成返回给服务器的响应消息，并且为用户终端提供了优化的多媒体消息的用户界面，能灵活实现本地互动以及用户终端与服务器之间的互动。

公开(公告)号：CN1310418A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：CN00102351.9

申请日：2000-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 林红 ,  宋松

IPC: G06F17/30

CPC classification number: G06F16/24 ,  Y10S707/99932 ,  Y10S707/99933

Abstract: 一种面向用户的数据库查询系统,包括:用户管理装置;设备管理装置;控制装置,用于识别用户,接收数据库查询请求和附加参数,将数据库查询请求转换为数据库查询命令;查询代理装置,在适当时间提交数据库查询命令并接收查询结果;查询记录装置,存储数据库查询请求、附加参数、查询命令、查询时间和查询结果;其中控制装置还确定一个接收设备,将查询结果转换为接收设备可接收的形式后向其发送查询结果,确认发送成功后结束查询。

公开(公告)号：CN100587967C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710089335.5

申请日：2007-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  林红

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L29/045 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78618 ,  Y10S257/902

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。具体地，涉及改进的具有位于源漏(S/D)区的产生应力的结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。具体地，每一个MOSFET包括位于半导体衬底中的源区和漏区。这样的源区和漏区包括具有相对于半导体衬底的上表面倾斜的一个或者多个侧壁表面的凹陷。产生应力的电介质层在源区和漏区位于所述凹陷的倾斜的侧壁表面上。这样的MOSFET能够通过对半导体衬底进行晶格蚀刻形成具有倾斜的侧壁表面的凹陷，继而在上面淀积产生应力的电介质层而容易地形成。

公开(公告)号：CN1146821C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN00102351.9

申请日：2000-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 林红 ,  宋松

IPC: G06F17/30

CPC classification number: G06F16/24 ,  Y10S707/99932 ,  Y10S707/99933

Abstract: 一种面向用户的数据库查询系统，包括：用户管理装置；设备管理装置；控制装置，用于识别用户，接收数据库查询请求和附加参数，将数据库查询请求转换为数据库查询命令；查询代理装置，在适当时间提交数据库查询命令并接收查询结果；查询记录装置，存储数据库查询请求、附加参数、查询命令、查询时间和查询结果；其中控制装置还确定一个接收设备，将查询结果转换为接收设备可接收的形式后向其发送查询结果，确认发送成功后结束查询。

公开(公告)号：CN101097955A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710089335.5

申请日：2007-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  林红

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L29/045 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78618 ,  Y10S257/902

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。具体地，涉及改进的具有位于源漏(S/D)区的产生应力的结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。具体地，每一个MOSFET包括位于半导体衬底中的源区和漏区。这样的源区和漏区包括具有相对于半导体衬底的上表面倾斜的一个或者多个侧壁表面的凹陷。产生应力的电介质层在源区和漏区位于所述凹陷的倾斜的侧壁表面上。这样的MOSFET能够通过对半导体衬底进行晶格蚀刻形成具有倾斜的侧壁表面的凹陷，继而在上面淀积产生应力的电介质层而容易地形成。