公开(公告)号：CN103718301B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280038066.9

申请日：2012-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 裴成文 ,  王耕 ,  张艳丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 通过围绕半导体层上的栅极结构形成具有第一深度d1的一对第一沟槽，围绕栅极结构形成可弃式隔离物58以覆盖第一沟槽的近端部分以及形成深度为第二深度d2的一对第二沟槽，在半导体层中形成包括沟槽的一对水平台阶，所述第二深度d2大于第一深度d1。去除可弃式隔离物，并且执行选择性外延以形成集成外延源极和源极扩展区域16以及集成外延漏极和漏极扩展区域18。在沉积和平坦化电介质层70之后可以形成替换栅极结构并且随后除去栅极结构以及在外延源极16和漏极扩展区域18上横向扩展栅极腔59。另一方面，可以直接在集成外延区域上沉积接触面电介质层并且可以在其中形成接触通孔结构。

公开(公告)号：CN103718301A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280038066.9

申请日：2012-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 裴成文 ,  王耕 ,  张艳丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 通过围绕半导体层上的栅极结构形成具有第一深度d1的一对第一沟槽，围绕栅极结构形成可弃式隔离物58以覆盖第一沟槽的近端部分以及形成深度为第二深度d2的一对第二沟槽，在半导体层中形成包括沟槽的一对水平台阶，所述第二深度d2大于第一深度d1。去除可弃式隔离物，并且执行选择性外延以形成集成外延源极和源极扩展区域16以及集成外延漏极和漏极扩展区域18。在沉积和平坦化电介质层70之后可以形成替换栅极结构并且随后除去栅极结构以及在外延源极16和漏极扩展区域18上横向扩展栅极腔59。另一方面，可以直接在集成外延区域上沉积接触面电介质层并且可以在其中形成接触通孔结构。